[发明专利]固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法无效
| 申请号： | 201210052050.5 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102856331A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 渡边龙太 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;刘薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据实施方式，提供了固体拍摄装置的制造方法。固体拍摄装置的制造方法包括元件分离区域形成工序和电荷积蓄区域形成工序。在元件分离区域形成工序中，使第1导电型半导体层外延生长，形成分离光电变换元件之间的元件分离区域。在电荷积蓄区域形成工序中，使第2导电型半导体层外延生长，形成上述光电变换元件中的电荷积蓄区域。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 拍摄 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，包括：元件分离区域形成工序，其使第1导电型半导体层外延生长，形成分离光电变换元件之间的元件分离区域；以及电荷积蓄区域形成工序，其使第2导电型半导体层外延生长，形成上述光电变换元件中的电荷积蓄区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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