[发明专利]一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件在审
| 申请号： | 201210052074.0 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103296464A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;栾林;郭洁;刘豫青 | 申请（专利权）人： | 深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;G01R33/56;A61B5/055 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518034 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件，负磁导率超材料超材料包括基板以及固定在基板上的人造微结构层，人造微结构层由多个周期性阵列排布的人造微结构组成，人造微结构是由一根导电材料的折线等间距嵌套而成的三角螺绕环。采用本发明可以有效降低超材料磁导率为负的谐振频率，满足一些特殊条件下对负磁导率值的要求，超材料呈各向异性，另外，基于上述具有负磁导率的超材料，本发明在MRI磁信号增强器件中具有较大应用。本发明对于超材料产业的发展具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁导率 材料 mri 信号 增强 器件 | ||
【主权项】：
一种负磁导率超材料，所述超材料包括基板以及固定在基板上的人造微结构层，其特征在于，所述人造微结构层由多个周期性阵列排布的人造微结构组成，所述人造微结构是由一根导电材料的折线等间距嵌套而成的三角螺绕环。
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