[发明专利]侧面粗化的发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210052920.9 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102593301A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 谢海忠;张逸韵;王兵;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种侧面粗化的发光二极管，包括：一衬底，该衬底的侧面经粗化处理；一成核层，其制作在侧面粗化的衬底上；一N型掺杂层，其制作在成核层上，该N型掺杂层有一台面；一多量子阱发光层，其制作在N型掺杂层台面的另一侧上，该多量子阱发光层为10个周期交替生长的氮化镓/铟镓氮；一P型掺杂层，其制作在多量子阱发光层上；一ITO层，其制作在P型掺杂层上；一P型金属电极，其制作在ITO层上；一N型金属电极，其制作在掺杂层的台面上。本发明可以提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 侧面 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种侧面粗化的发光二极管，包括：一衬底，该衬底的侧面经粗化处理，粗化处理后的衬底侧面为三角形、菱形、圆形或多边形；一成核层，其制作在侧面粗化的衬底上；一N型掺杂层，其制作在成核层上，该N型掺杂层有一台面；一多量子阱发光层，其制作在N型掺杂层台面的另一侧上，该多量子阱发光层为10个周期交替生长的氮化镓/铟镓氮；一P型掺杂层，其制作在多量子阱发光层上；一ITO层，其制作在P型掺杂层上；一P型金属电极，其制作在ITO层上；一N型金属电极，其制作在掺杂层的台面上。
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