[发明专利]发光二极管晶片的点测方法有效
| 申请号： | 201210055190.8 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102569565A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 赖余盟;李水清;蔡坤煌;章小飞 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的点测方法，包括光学参数测试和电性参数测试，其特征在于：对光学参数分布离散的区域芯粒进行光电参数全测，对光学参数分布集中的区域芯粒只进行电性参数单测。在没有增设任何硬件成本的前提下，实现自动寻找和判别发光二极晶片光学参数集中性分布较好的区域，对其仅测试电性参数，节省光学参数测试的时间，测试速率显著提升，极大程度的提升了机台产能和降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶片 方法 | ||
【主权项】：
发光二极管晶片的点测方法，包括光学参数测试和电性参数测试，其特征在于：对光学参数分布离散的区域芯粒进行光电参数全测，对光学参数分布集中的区域芯粒只进行电性参数单测。
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