[发明专利]半导体器件以及用于形成半导体封装的方法有效
申请号: | 201210055409.4 | 申请日: | 2012-01-21 |
公开(公告)号: | CN102738067B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 林耀剑;陈康;Y·顾;W·蒙;C·S·安 | 申请(专利权)人: | 新科金朋有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/532 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 马丽娜,卢江 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及半导体器件以及用于形成半导体封装的方法。半导体器件具有半导体管芯和沉积在半导体管芯上的密封剂。在管芯和密封剂上形成第一绝缘层。用多个驻留循环固化第一绝缘层以增强对管芯和密封剂的粘附。第一导电层形成在第一绝缘层上。第二绝缘层形成在第一绝缘层和第一导电层上。用多个驻留循环固化第二绝缘层以增强对第一绝缘层和第一导电层的粘附。第二导电层形成在第二绝缘层和第一导电层上。第三绝缘层形成在第二绝缘层和第二导电层上。第一、第二和第三绝缘层具有不同的CTE。将第二绝缘层或者第三绝缘层固化成致密状态以阻挡湿气。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 以及 用于 形成 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种制作半导体器件的方法,包括:提供半导体管芯;在所述半导体管芯上沉积密封剂;在所述半导体管芯和所述密封剂上形成第一绝缘层,其中所述第一绝缘层包括在30‑90ppm/˚C的第一范围内的第一热膨胀系数(CTE);在所述第一绝缘层上形成第一导电层;形成与所述第一绝缘层和所述第一导电层接触的包括第二CTE的第二绝缘层,其中所述第二绝缘层的所述第二CTE在大于所述第一范围并且不与所述第一范围重叠的第二范围内;以及形成与所述第二绝缘层接触的第三绝缘层,其中所述第三绝缘层的第三CTE在大于所述第二范围并且不与所述第二范围重叠的第三范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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