[发明专利]形成复数个半导体发光装置的方法无效
| 申请号： | 201210056945.6 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102891223A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞华;卢怡安 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司;财团法人成大研究发展基金会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;文琦 |
| 地址： | 孟帕里斯&卡尔德P.O.Box.3*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种形成复数个半导体发光装置的方法，包含：形成磊晶结构于第一暂时基材上，其中磊晶结构具有第一型掺杂层、发光层、第二型掺杂层；以第一粘着层将第二暂时基材耦接至磊晶结构的上表面；移除第一暂时基材，以暴露出磊晶结构的底面；以第二粘着层将永久半导体基材耦接至磊晶结构的底面；移除第一粘着层与第二暂时基材；在永久半导体基材上的磊晶结构，形成复数个半导体发光装置。该方法可以提高由磊晶结构所制成的发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 复数 半导体 发光 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种形成复数个半导体发光装置的方法，包括：形成一磊晶结构于一第一暂时基材上，其中所述磊晶结构包括一第一型掺杂层、一发光层及一第二型掺杂层；藉由一第一粘着层，将一第二暂时基材耦接至所述磊晶结构的一上表面；移除该第一暂时基材，以暴露出所述磊晶结构的一底面；藉由一第二粘着层，将一永久半导体基材耦接至所述磊晶结构的所述底面；移除所述第一粘着层与所述第二暂时基材；以及于所述永久半导体基材上的所述磊晶结构上，形成复数个半导体发光装置。
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