[发明专利]发光二极管芯片及该芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201210057299.5 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102544299A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王远红;许亚兵;苗振林 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管芯片及该芯片的制备方法。该发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：1)在发光二极管芯片的晶圆的衬底背面上，沿X和Y方向进行隐形切割；2)蒸镀ODR层，得到镀膜片；3)沿隐形切割形成的切痕压裂镀膜片，形成裂痕，置于劈裂机中劈裂，得到发光二极管芯片，所得发光二极管芯片的出光效率能提高8～10％。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在所述发光二极管芯片的晶圆的衬底的背面上，沿X和Y方向进行隐形切割；2)蒸镀ODR层，得到镀膜片；3)沿所述隐形切割形成的切痕压裂所述镀膜片，形成裂痕，置于劈裂机中劈裂，得到所述发光二极管芯片。
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