[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201210057523.0 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103021979A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 中尾淳一;福吉宽 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张靖琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式的半导体装置，具备第1半导体芯片、缓冲体和终端导线。第1半导体芯片具有第1电极和设于第1电极的相反侧的第2电极，在第1电极与第2电极之间流动电流。缓冲体，具有与第2电极电气性连接的下部金属箔、经由下部金属箔设于第2电极上的陶瓷片、设于陶瓷片的下部金属箔的相反侧并与下部金属箔电气性连接的上部金属箔。终端导线的一端设于上部金属箔上，与上部金属箔电气性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1半导体芯片，具有第1电极、设于所述第1电极的相反侧的第2电极，在所述第1电极与所述第2电极之间流动电流；缓冲体，具有与所述第2电极电气性连接的下部金属箔、经由所述下部金属箔而设于所述第2电极上的陶瓷片、以及设于所述陶瓷片的与所述下部金属箔相反的一侧并与所述下部金属箔电气性连接的上部金属箔；以及终端导线，其一端设于所述上部金属箔上并与所述上部金属箔电气性连接。
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