[发明专利]具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计有效
| 申请号： | 201210057647.9 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102680738A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李孟委;刘俊;杜康;王莉;李锡广 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12;B81B3/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计，主要结构由键合基底、敏感质量块、固定外框、组合梁、硅纳米线电阻、凹槽、阻尼孔组成，组合梁由检测梁、连接块、横向缓冲梁组成，硅纳米线电阻由硅纳米带电阻层、硅纳米带电阻正极、硅纳米带电阻负极组成；以键合基底为载体，在键合基底上键合有固定外框，固定外框的四边中心位置处连接有组合梁，组合梁连接于敏感质量块的四角部位，且内嵌于组合梁运动空间内，组合梁由检测梁、连接块、横向缓冲梁组成，结构设计紧凑，既能充分利用空间，适合器件微型化，又能抗击横向干扰，提高检测精度，硅纳米带电阻由硅纳米带电阻层、硅纳米带电阻正极、硅纳米带电阻负极组成，硅纳米带电阻层所具有巨压阻效应比传统的硅压阻器件的压阻灵敏度高约2个数量级，可大幅提高硅压阻式传感器的检测灵敏度和分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 干扰 纳米 带巨压阻 效应 加速度计 | ||
【主权项】：
具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计，其特征在于：主要结构由键合基底、敏感质量块、固定外框、组合梁、硅纳米线电阻、凹槽、阻尼孔组成，组合梁由检测梁、连接块、横向缓冲梁组成，硅纳米线电阻由硅纳米带电阻层、硅纳米带电阻正极、硅纳米带电阻负极组成；在键合基板（1）的四周区域键合有固定基座（3），固定基座（3）内侧四边的中心位置处连接有组合梁（4、5、6、7）的一端，组合梁（4、5、6、7）的另一端分别连接于敏感质量块（2）的四角部位，敏感质量块（1）上均布有阻尼孔（17），组合梁（4、5、6、7）的根部区域分别制作有硅纳米带电阻（8、9、10、11）。
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