[发明专利]垂直静电放电保护元件及其制作方法有效
申请号: | 201210058362.7 | 申请日: | 2012-03-06 |
公开(公告)号: | CN103077941A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 章正欣;陈逸男;刘献文 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/82 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种垂直静电放电保护元件及其制作方法,该垂直静电放电保护元件包括:一基底,包括多个沟槽,其中各沟槽中包括一凹槽栅极;一漏极区,设置于两相邻的凹槽栅极间;一静电放电保护掺杂区,设置于各漏极区下;及一源极区,包围上述凹槽栅极和漏极区,且源极区位于上述凹槽栅极和静电放电保护掺杂区下。本发明可垂直设置漏极区、静电放电保护掺杂区和源极区,因此,可减少布局区域,以增加积集度;此外,垂直静电放电保护金属氧化物半导体场效晶体管元件可在开启模式下将元件通道完全打开,以更有效率的操作元件。 | ||
搜索关键词: | 垂直 静电 放电 保护 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种垂直静电放电保护元件,其特征在于,包括:一基底,包括多个沟槽,所述各沟槽中包括一凹槽栅极;一漏极区,设置于两相邻的凹槽栅极间;一静电放电保护掺杂区,设置于各漏极区下;及一源极区,包围所述多个凹槽栅极和该漏极区,且该源极区位于所述多个凹槽栅极和静电放电保护掺杂区下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210058362.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的