[发明专利]一种喷射沉积Si-Al合金电子封装材料的制备工艺

摘要

本发明涉及一种喷射沉积Si-Al合金电子封装材料的制备工艺，采用喷射沉积的工艺制备Si-Al合金电子封装材料，该合金中Si含量达到了40-60％，余量为Al。将喷射沉积坯锭机加去皮和端面后，利用线切割工艺对Si-Al合金坯锭进行切片，采用热等静压工艺对Si-Al合金片进行致密化处理，保压温度为500℃-550℃，保压时间为0.5-3h，保压压力为100-150MPa，处理后可获得热膨胀系数为8-13ppm/K，抗拉强度为150-300MPa，密度为2.3-2.6g/cm-3，的电子封装材料。该工艺获得的Si-Al电子封装材料不含有害元素，对环境友好，工艺易固化，适合于工业化生产。

主权项

一种喷射沉积Si‑Al合金电子封装材料的制备工艺，其特征在于：该工艺包括以下步骤：(1)采用喷射沉积的工艺制备Si‑Al合金电子封装材料，合金中Si含量为40‑60％，余量为Al，按质量比进行配比熔炼，除气变质处理完后将熔体温度升至1400℃‑1500℃，将熔体倾入导流槽，流经漏斗后通过气体雾化器，对合金熔体进行熔体雾化处理，并沉积到喷射沉积设备的接受盘上。喷射沉积的工艺参数为：雾化气体为氮气，雾化压力为0.6‑1MPa，熔体熔炼温度为1300℃‑1450℃，导流槽和漏斗采用电阻加热温度补偿方法，使之温度保持在1400℃‑1500℃，沉积盘的接受距离为650‑750mm，得到的喷射沉积坯锭，相对密度达到了95％‑98％。(2)对喷射沉积坯锭进行去皮和端面，并用线切割工艺对坯锭进行切片处理。(3)将沉积片装入热等静压炉腔中。(4)将热等静压炉在100‑150MPa压力和500℃‑550℃温度下保压、保温0.5‑3h，冷却后即获得Si‑Al合金电子封装材料。