[发明专利]用于微电子和微系统的结构的制造方法无效
| 申请号： | 201210058695.X | 申请日： | 2005-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102637626A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 贝尔纳·阿斯帕尔 | 申请（专利权）人： | S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于微电子和微系统的结构的制造方法。具体地，涉及一种用于制造如下结构的方法，所述结构包括表面层(2、61)、至少一个掩埋层(4、34)、以及支架(6、72)，所述方法包括：在第一支架(6)上制造第一结构的第一步骤，所述第一结构包括第一层(4、34)，所述第一层具有由第一材料制成的第一区域以及包括空腔的至少一个第二区域，所述空腔中填充有第二材料，所述第二材料的蚀刻速率高于或低于所述第一材料的蚀刻速率；之后形成所述掩埋层以及形成所述表面层(2、61)的第二步骤，所述掩埋层由所述第一层形成，所述表面层(2、61)通过所述第一结构与第二支架(32、72)的组合而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微电子 系统 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造如下结构的方法，所述结构包括表面层(2、61)、至少一个掩埋层(4、34)、以及支架(6、72)，所述方法包括：‑在第一支架(6)上制造第一结构的第一步骤，所述第一结构包括第一层(4、34)，所述第一层具有由第一材料制成的第一区域以及包括空腔的至少一个第二区域，所述空腔中填充有第二材料，所述第二材料的蚀刻速率高于或低于所述第一材料的蚀刻速率；‑之后形成所述掩埋层以及形成所述表面层(2、61)的第二步骤，所述掩埋层由所述第一层形成，所述表面层(2、61)通过所述第一结构与第二支架(32、72)的组合而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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