[发明专利]一种制备p型CuAlO2透明导电薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种制备p型CuAlO2透明导电薄膜的方法。本发明首先，以Cu2O和Al2O3为原料，经过人工研磨或机械球磨混合均匀，将混合粉末装入粉末压片机，制成圆柱状靶材坯料，将靶材坯料放入刚玉坩埚中盖好后置于单晶炉中，在温度为1100oC～1200oC之间烧结10～12小时即得到CuAlO2陶瓷靶材；然后，将烧制好的CuAlO2靶材放入电子束蒸发镀膜设备的坩埚内，抽至本底真空，在不通入任何反应气体的情况下，进行电子束蒸发镀膜，控制电子束流和沉积时间即得到p型CuAlO2透明导电薄膜。本发明方法制备的p型CuAlO2导电靶材具有制备过程简单、烧结过程受热均匀、产物纯度高、制备过程清洁无污染。

主权项

一种制备p型CuAlO2透明导电薄膜的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：首先，采用Cu2O和Al2O3为原料，经过人工研磨或机械球磨4小时以上，使之混合均匀，将混合粉末装入压片机在30～50 MPa的压力下保持1～3分钟，制成直径为1.4 cm、厚度为 2.1 mm的圆柱状靶材坯料，将靶材坯料放入刚玉坩埚中盖好后置于单晶炉中，控制温度为1100oC～1200oC烧结10～15小时即得到CuAlO2陶瓷靶材；然后，将烧制好的CuAlO2陶瓷靶材放入电子束蒸发镀膜设备的铜坩埚或碳坩埚内，抽真空至1×10‑4Pa以下，在不通入任何反应气体的条件下，进行电子束蒸发镀膜，控制电子束流为20mA～250mA，蒸发时间为5～45 分钟，即得到p型CuAlO2透明导电薄膜。