[发明专利]用于光刻操作的间隔件双重图案化有效
申请号: | 201210059362.9 | 申请日: | 2009-01-08 |
公开(公告)号: | CN102543688A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 克里斯托夫·皮埃拉 | 申请(专利权)人: | 益华公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本申请涉及用于光刻操作的间隔件双重图案化。本发明揭示半导体装置制作及布局产生的系统及方法。实例性方法包含以下过程:沉积第一材料层并图案化所述层以形成初始图案,其中所述初始图案使用单个曝光来界定布局元件的关键特征;在衬底上的第一图案上方沉积间隔件材料并蚀刻所述间隔件材料,使得所述间隔件材料从所述衬底及所述第一图案的水平表面被移除但仍保持在邻近于所述第一图案的垂直表面处;从所述衬底移除所述初始图案而留下间隔件图案中的所述间隔件材料;用最终材料填充所述间隔件图案;及修整所述经填充图案以移除所述最终材料的超过所述布局元件的尺寸的部分。 | ||
搜索关键词: | 用于 光刻 操作 间隔 双重 图案 | ||
【主权项】:
一种用于产生用于集成电路的布局文件的方法,其包括:选择所述电路的第一及第二布局元件;界定经重新确定大小的第一元件的外形的数据表示;及组合所述第一元件的所述外形的所述数据表示与所述第二元件的数据表示以得出初始图案的数据表示。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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