[发明专利]一种基于NMOS管辅助触发的双向可控硅器件无效
| 申请号： | 201210060504.3 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102544067A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 郑剑锋;韩雁;马飞;董树荣;吴健;苗萌;曾杰 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/74 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于NMOS管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和四个NMOS管；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区与第二NMOS管相连，第一NMOS管与第一金属电极相连；第二N+有源注入区与第三NMOS管相连，第四NMOS管与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用NMOS管作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 nmos 辅助 触发 双向 可控硅 器件 | ||
【主权项】：
一种基于NMOS管辅助触发的双向可控硅器件，其特征在于，包括：P衬底层(10)和四个NMOS管；所述的P衬底层(10)上从左到右依次设有第一N阱(21)、P阱(23)和第二N阱(22)，所述的P阱(23)与第一N阱(21)和第二N阱(22)并排相连；所述的第一N阱(21)上从左到右依次并排设有第一N+有源注入区(41)、第一P+有源注入区(51)和第二N+有源注入区(42)；所述的第二N阱(22)上从左到右依次并排设有第三N+有源注入区(43)、第二P+有源注入区(52)和第四N+有源注入区(44)；所述的第一N+有源注入区(41)和第一P+有源注入区(51)通过第一金属电极(61)相连，所述的第二P+有源注入区(52)和第四N+有源注入区(44)通过第二金属电极(62)相连；所述的第三N+有源注入区(43)与第二NMOS管的漏极相连，第一NMOS管的源极与第一金属电极(61)相连；所述的第二N+有源注入区(42)与第三NMOS管的漏极相连，第四NMOS管的源极与第二金属电极(62)相连；第一NMOS管的栅极、漏级、阱电极和第二NMOS管的栅极、源极、阱电极六极共连，第三NMOS管的栅极、源极、阱电极和第四NMOS管的栅极、漏级、阱电极六极共连。
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