[发明专利]沟槽式MOS静电释放结构制造方法以及集成电路有效
| 申请号： | 201210061097.8 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102610592B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 楼颖颖;吴亚贞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽式MOS静电释放结构制造方法以及集成电路。根据本发明的沟槽式MOS静电释放结构制造方法包括：对沟槽式MOS的源极进行离子注入以形成二极管阵列；此后，沉积第一层间介质层，其中该第一层间介质层仅仅包括低温氧化层和/或正硅酸乙酯层；此后，执行退火以激活沟槽式MOS的源极中的掺杂物以及二极管阵列；此后，沉积第二层间介质层，其中该第二层间介质层仅仅包括BPSG。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 静电 释放 结构 制造 方法 以及 集成电路 | ||
【主权项】：
一种沟槽式MOS静电释放结构制造方法，其特征在于包括：对沟槽式MOS的源极进行离子注入以形成二极管阵列；此后，沉积第一层间介质层，其中该第一层间介质层仅仅包括低温氧化层和/或正硅酸乙酯层；此后，执行退火以激活沟槽式MOS的源极中的掺杂物以及二极管阵列；此后，沉积第二层间介质层，其中该第二层间介质层仅仅包括BPSG。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210061097.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电感元件的注胶与注塑方法
- 下一篇：机动车辆中电子装置遥控器的固定系统
