[发明专利]硅层转印基板以及半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 201210061282.7 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102683352A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 三井实 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 丁业平;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及硅层转印基板以及半导体基板的制造方法，所述硅层转印基板包括：作为第一基板的硅基板；牺牲层；以及转印至第二基板的转印硅层，其中所述牺牲层具有硅化合物层，所述硅化合物层含有由硅以及选自锗和碳中的至少一种元素构成的化合物，并且所述牺牲层被设置在作为第一基板的硅基板上，所述硅化合物层的厚度等于或小于临界膜厚度，所述转印至第二基板的转印硅层被设置在牺牲层上，并且硅基板或者硅层中的至少一者具有与牺牲层相连的沟槽或孔。所述硅层转印基板能够具有几乎不存在缺陷的转印硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 硅层转印基板 以及 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅层转印基板，包括：作为第一基板的硅基板；牺牲层；以及转印至第二基板的转印硅层，其中所述牺牲层具有硅化合物层，所述硅化合物层含有由硅以及选自锗和碳中的至少一种元素构成的化合物，并且所述牺牲层被设置在所述作为第一基板的硅基板上，所述硅化合物层的厚度等于或小于临界膜厚度，所述转印至第二基板的转印硅层被设置在所述牺牲层上，并且所述硅基板或所述硅层中的至少一者具有与所述牺牲层相连的沟槽或孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
