[发明专利]MOS晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201210061962.9 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102593179A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOS晶体管及其制造方法。根据本发明的MOS晶体管，其包括：布置在衬底中的阱区、以及布置在源极及漏极之间的栅极、布置在所述源漏阱区中的位于源极及漏极之间的轻掺杂区、布置在所述源漏阱区中的源极及漏极；其中，源极及漏极的上表面低于栅极的栅极氧化物的下表面；并且，所述轻掺杂区位于所述栅极的下方。根据本发明的MOS晶体管制造方法包括：在生长了栅氧和多晶硅的衬底上涂覆光刻胶，并执行光刻以形成源漏区；利用所述光刻胶刻蚀多晶硅和栅氧；利用所述光刻胶刻蚀硅衬底；以及利用所述光刻胶分别进行阱注入、轻掺杂区注入和源漏注入。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管，其特征在于包括：布置在衬底中的阱区、以及布置在源极及漏极之间的栅极、布置在所述源漏阱区中的位于源极及漏极之间的轻掺杂区、布置在所述源漏阱区中的源极及漏极；其中，源极及漏极的上表面低于栅极的栅极氧化物的下表面；并且，所述轻掺杂区位于所述栅极的下方。
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