[发明专利]半导体结构的形成方法无效
| 申请号： | 201210062523.X | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN103309165A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇;伍强;顾一鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;G03F7/32;G03F7/09;G03F7/16;G03F7/40;H01L21/3105;G03F7/039;G03F7/038 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括步骤：提供基底；在所述基底上依次形成负光刻胶层和正光刻胶层；对所述负光刻胶层和正光刻胶层进行曝光，所述曝光的曝光能量具有第一阈值和第二阈值，且第一阈值大于第二阈值，在第一阈值的曝光能量作用下在正光刻胶层中形成第一曝光区，在第二阈值的曝光能量作用下在负光刻胶层中形成第二曝光区，第二曝光区的宽度大于第一曝光区的宽度；进行第一显影，去除正光刻胶层中的第一曝光区，形成第一开口；沿所述第一开口刻蚀负光刻胶层的第二曝光区，形成第二开口；去除正光刻胶层；进行第二显影，去除负光刻胶层的第二曝光区以外的光刻胶。本发明实施例的方法工艺步骤简单，套刻精度高，并且工艺过程容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供基底；在所述基底上依次形成负光刻胶层和正光刻胶层；对所述负光刻胶层和正光刻胶层进行曝光，所述曝光的曝光能量具有第一阈值和第二阈值，且第一阈值大于第二阈值，在第一阈值的曝光能量作用下在正光刻胶层中形成第一曝光区，在第二阈值的曝光能量作用下在负光刻胶层中形成第二曝光区，第二曝光区的宽度大于第一曝光区的宽度；进行第一显影，去除正光刻胶层中的第一曝光区，形成第一开口，所述第一开口暴露负光刻胶层表面；沿所述第一开口刻蚀负光刻胶层的第二曝光区，形成第二开口，所述第二开口暴露基底表面；去除第一显影后的正光刻胶层；进行第二显影，去除负光刻胶层的第二曝光区以外的光刻胶，形成双图形化的负光刻胶图形。
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