[发明专利]一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210062586.5 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102602961A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘科高;徐勇;纪念静;石磊;许斌 | 申请（专利权）人： | 山东建筑大学 |
| 主分类号： | C01C1/16 | 分类号： | C01C1/16;C04B41/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法，它涉及一种薄膜材料的制备工艺。本发明通过如下步骤得到，首先清洗硅基片，然后将金属氯化物放入溶剂中溶解，用旋涂法在硅片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将装有前躯体薄膜样品的密闭容器进行加热，最后冷却、干燥，得到择优取向氯化铵薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得氯化铵薄膜择优取向生长且有较好的连续性和均匀性，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备择优取向氯化铵薄膜提供了一种低成本、可实现工业化的生产方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 择优取向 氯化铵 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法，包括如下顺序的步骤：a.硅基片的清洗；b.将2.0～5.0份金属氯化物、放入30～100份的溶剂中，使溶液中的物质均匀混合；c.制作外部均匀涂布步骤b所述溶液的基片，并烘干，得到前驱体薄膜样品；d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将装有前躯体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至150～200℃之间，保温时间10～24小时，然后冷却到室温取出；e.将步骤d所得产物，进行自然干燥，得到择优取向氯化铵薄膜。
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