[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，其目的在于解决如下问题：由于随着高细致化而带来的像素区域的微细化、随着大面积化而带来的衬底的大型化，由于蒸发沉积时所使用的掩模的精度和挠曲等的原因而产生不良。本发明的技术要点如下：通过使用设置有由衍射光栅图形或半透膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模，在显示区域的像素电极(也被称为第一电极)上、以及像素电极层周边，形成具有膜厚不同的部分的隔离壁，而不增加工序。

主权项

一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在具有绝缘表面的衬底上形成第一电极；在所述第一电极的端部上形成隔离壁；在所述第一电极上形成包含有机化合物的层；以及在所述包含有机化合物的层上形成第二电极，其中所述隔离壁在上端部和下端部具有根据位于隔离壁表面下方的曲率中心而被决定的两个曲面，并且在上端部和下端部之间具有根据位于隔离壁外侧的曲率中心而被决定的一个曲面。