[发明专利]适用于清洗硅晶片的洗剂及用于清洗一硅晶片的方法无效
| 申请号： | 201210064009.X | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102719330A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 佘怡璇;徐志贤;卢厚德;王兴嘉 | 申请（专利权）人： | 达兴材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C11D10/02 | 分类号： | C11D10/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台中市中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种适用于清洗硅晶片的洗剂及用于清洗一硅晶片的方法。其中该适用于清洗硅晶片的洗剂包含碱金属氢氧化物、磷酸三钠、阴离子型界面活性剂及水。该用于清洗一硅晶片的方法是使该硅晶片与上述的适用于清洗硅晶片的洗剂进行接触而完成。本发明的洗剂不但可修补切割后的晶片表面的损伤，使用时可维持稳定的pH值范围，且能在长时间使用下维持高度清洗能力。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 清洗 晶片 洗剂 用于 方法 | ||
【主权项】：
一种适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于包含：碱金属氢氧化物；磷酸三钠；阴离子型界面活性剂；以及水。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于达兴材料股份有限公司，未经达兴材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210064009.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
