[发明专利]一种形成前金属介电质层的方法有效
| 申请号： | 201210064629.3 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102623330A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成前金属介电质层的方法，其包括：提供一种具有NMOS和PMOS晶体管的半导体衬底；在半导体衬底上沉积一缓冲氧化层；在缓冲氧化层上沉积一具有高压应力的第一蚀刻阻挡层；沉积一具有压应力的第一前金属介电质层；沉积一金属硬掩膜层；在所述硬质掩膜层上涂覆一层光刻胶，对PMOS区域和NMOS区域进行光刻，刻蚀至所述第一刻蚀阻挡层，暴露所述NMOS区域，并且保留所述PMOS区域表面的所述第一前金属介电质层；在半导体器件表面沉积具有高拉应力的第二蚀刻阻挡层；在第二蚀刻阻挡层上沉积具有拉应力的第二前金属介电质层；对第二前金属介电质层进行研磨抛光。本发明从工艺上来说步骤相对简单，能够同时提高NMOS/PMOS的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 金属 介电质层 方法 | ||
【主权项】：
一种形成前金属介电质层的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一种具有NMOS和PMOS晶体管的半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积一缓冲氧化层；在所述缓冲氧化层上沉积一具有高压应力的第一蚀刻阻挡层；在所述第一蚀刻阻挡层上沉积一具有压应力的第一前金属介电质层；在所述第一前金属介电质层上沉积一金属硬掩膜层；在所述硬质掩膜层上涂覆一层光刻胶，对PMOS区域和NMOS区域进行光刻，在NMOS区域，刻蚀至所述第一刻蚀阻挡层，暴露所述NMOS区域，在PMOS区域，刻蚀后保留至所述PMOS区域表面的所述第一前金属介电质层；在半导体器件表面沉积具有高拉应力的第二蚀刻阻挡层；在所述第二蚀刻阻挡层上沉积具有拉应力的第二前金属介电质层；对所述第二前金属介电质层进行研磨抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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