[发明专利]一种多功能集成的有机阻变存储装置及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210064637.8 申请日: 2012-03-13
公开(公告)号: CN102593359A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 李福山;郭太良;叶芸;周雄图;胡海龙;吴朝兴;谢剑星;寇丽杰 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;G11C13/00
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350001 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种多功能集成的有机阻变存储装置及其制备方法,该有机阻变存储装置包括绝缘衬底,设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述底电极与顶电极之间的有机功能层,其中所述的有机功能层为基于聚酰亚胺的有机/无机纳米复合薄膜,所述的有机功能层中包含无机纳米颗粒,所述有机功能层包含杂金属离子且该杂金属离子在有机功能层内以络合物的形式均匀稳定存在。该存储装置在不同的电压激励下表现出非易失性可擦除多值存储特性(multi-valueflash)和写一次读多次存储特性(WROM),本发明提供的阻变存储器一致性好、响应速度快、可靠性强、结构简单、制造成本低。利用本发明提供的存储装置可实现闪存存储器、多值存储器、写一次读多次存储器的集成,用于高度集成的大容量多功能集成存储器领域,具有很高的应用价值。
搜索关键词: 一种 多功能 集成 有机 存储 装置 及其 制备 方法
【主权项】:
一种多功能集成的有机阻变存储装置,包括绝缘基板,设置于绝缘基板上的底电极、顶电极及设置于所述底电极和顶电极之间的有机功能层,其特征在于:所述的有机功能层为基于聚酰亚胺的有机/无机纳米复合薄膜;所述的基于聚酰亚胺的有机/无机纳米复合薄膜的厚度为10‑100纳米;所述的底电极是P型硅或N型硅材料;所述的顶电极是Ag、Al、Cr中的一种金属电极或者两种及两种以上组合的复合金属电极。
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