[发明专利]一种改进型终端结构的功率MOS器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种改进型终端结构的功率MOS器件及其制造方法，其终端保护区有且仅有截止环，截止环采用沟槽结构；截止沟槽内壁表面生长有绝缘栅氧化层，在所述生长有绝缘栅氧化层的截止沟槽内填充有导电多晶硅；截止沟槽内的上部设有第二欧姆接触孔，截止沟槽的外侧设有第一欧姆接触孔；终端保护区对应设置第一欧姆接触孔及第二欧姆接触孔外的区域均覆盖有绝缘介质层，第一欧姆接触孔及第二欧姆接触孔内均填充有第二金属层，第二金属层覆盖于相应的绝缘介质层上，且所述第二金属层将截止沟槽外侧的第二导电类型阱层与截止沟槽内的导电多晶硅连接成等电位。本发明结构紧凑，能节省终端面积，能有效抑制源极漏极间的漏电流，提高截止效果。

主权项

一种改进型终端结构的功率MOS器件，在所述功率MOS器件的俯视平面上，包括位于半导体基板中心区的元胞区及位于所述元胞区外圈的终端保护区，所述终端保护区环绕包围元胞区；在所述功率MOS器件的截面上，半导体基板具有相对应的第一主面与第二主面，所述第一主面与第二主面间包括第一导电类型漏极区及位于所述第一导电类型漏极区上方的第一导电类型外延层，第一导电类型外延层对应的表面形成第一主面，第一导电类型漏极区对应的表面形成第二主面；第一导电类型外延层内的上部设有第二导电类型阱层，所述第二导电类型阱层贯通元胞区及终端保护区；元胞区包括若干并联设置的元胞；其特征是： 所述终端保护区有且仅有截止环，所述截止环采用沟槽结构；所述截止沟槽位于第二导电类型阱层内，深度伸入第二导电类型阱层下方的第一导电类型外延层内；截止沟槽内壁表面生长有绝缘栅氧化层，在所述生长有绝缘栅氧化层的截止沟槽内填充有导电多晶硅；截止沟槽内的上部设有第二欧姆接触孔，截止沟槽的外侧设有第一欧姆接触孔；终端保护区对应设置第一欧姆接触孔及第二欧姆接触孔外的区域均覆盖有绝缘介质层，第一欧姆接触孔及第二欧姆接触孔内均填充有第二金属层，第二金属层覆盖于相应的绝缘介质层上，且所述第二金属层将截止沟槽外侧的第二导电类型阱层与截止沟槽内的导电多晶硅连接成等电位。