[发明专利]一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件有效
申请号: | 201210065381.2 | 申请日: | 2012-03-13 |
公开(公告)号: | CN102593348A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 赵永刚;张森;杨军杰;李培森;曲天良 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L43/00 | 分类号: | H01L43/00;G11B5/66 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 罗文群 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件,属于信息存储技术领域。存储器件由第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层组成。第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层由上而下依次重叠。第一金层的厚度为200-300纳米,钽层的厚度为5-10纳米,铁磁层的厚度为10-20纳米,为非晶层,铁电层的厚度为0.2-0.5毫米,晶体具有三方对称性,第二金层的厚度为300-500纳米。此外,本发明的信息存储器件,在实际应用中可以直接实现电场E对磁化强度M的调控,同时撤掉电场后,被调制的磁化强度M能够较好地保持,从而方便电场对磁记录操控,并能节省能耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 非易失性 电场 调控 磁化 强度 信息 存储 器件 | ||
【主权项】:
一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件,其特征在于该信息存储器件由第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层组成;所述的第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层由上而下依次重叠,其中所述的第一金层的厚度为200‑300纳米,所述的钽层的厚度为5‑10纳米,所述的铁磁层的厚度为10‑20纳米,所述的铁电层的厚度为0.2‑0.5毫米,所述的第二金层的厚度为300‑500纳米。
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