[发明专利]一种CdS/Sn异质结构纳米发光材料的制备方法有效
| 申请号： | 201210065412.4 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102618269A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王顺利;李培刚;唐为华 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66 |
| 代理公司： | 浙江英普律师事务所 33238 | 代理人： | 陈小良 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无机纳米材料的制备方法，具体是指一种硫化镉/锡异质结构材料的制备方法。本发明通过物理气相沉积法，将CdS粉末和Sn粉混合均匀后置于石英舟，然后把镀金的Si片，沿着气流方向放置于石英舟的下方，进行抽真空后对石英舟位置加热到890～910℃；再经冷却后可得产物。本发明的优点：工艺可控性强，易操作，成本低，制得的产物纯度高。本发明所制备的产品在半导体行业具有广泛的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cds sn 结构 纳米 发光 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CdS/Sn异质结构纳米发光材料的制备方法，其特征在于包括下述步骤：(1)以CdS粉末和Sn粉为原料，混合碾磨15分钟以上，使之混合均匀；将混合物置入石英舟中，取镀金的Si片沿着气流方向放置于石英舟的下方；整个反应装置密封，其中CdS粉末与Sn粉的摩尔比为4∶1；(2)将反应装置先抽真空，然后通入氩气至一个大气压；对反应装置进行循环操作抽真空至200mmHg以下、通入氩气2次以上；再稳定通氩气流经反应装置；(3)将反应装置加热至890～910℃，并保持反应时间30～40分钟；(4)然后再将反应装置自然冷却至室温，在Si片上所得的沉积产物为CdS/Sn异质结构纳米发光材料。
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