[发明专利]一种KDP类晶体全方位生长方法

摘要

本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种KDP类晶体全方位生长方法，取二次蒸馏水加入纯ADP原料配制溶液饱和点为40-50℃的溶液，调节pH值至2.4；分别用滤纸和滤膜对溶液进行过滤，得纯清溶液；对纯清溶液在饱和点以上20℃恒温过热制得生长溶液；对籽晶沿晶体倍频方向切割成籽晶并打制穿孔；用鱼线穿过穿孔并将籽晶固定于籽晶架中心处；在溶液降温过程中使籽晶沿Z轴方向成锥，恢复晶体的理想外形；籽晶在晶体生长过程中完全开放式的浸入生长溶液中各个方向自由生长成成品晶体；对成品晶体沿鱼线方向用切片机进行切割得薄片为成品倍频晶体；其工艺简单，生长过程易控，生长的晶体质量好，应用效果优良，可以替代现有技术产品。

主权项

一种KDP类晶体全方位生长方法，其特征在于包括溶液配制、溶液过滤、溶液过热、籽晶处理、籽晶固定、籽晶成锥、晶体生长和晶体切割八个工艺步骤，其具体步骤是：(1)溶液配制：根据溶解度公式st＝(171+4.7t/℃)g/kg计算，称取1500g二次蒸馏水加入1000g优级纯ADP原料配制溶液饱和点为40‑50℃的溶液，用磷酸调节溶液的PH值至2.4；(2)溶液过滤：分别用滤纸0.45μm和0.22μm的滤膜对溶液进行过滤，得纯清溶液；(3)溶液过热：对纯清溶液在饱和点以上20℃恒温过热24小时，制得生长溶液；(4)籽晶处理：对籽晶沿晶体倍频方向切割成8×8×2mm大小的籽晶并使用打孔器在籽晶中央打制穿孔；(5)籽晶固定：用鱼线穿过籽晶的穿孔并将籽晶固定于籽晶架中心处；(6)籽晶成锥：在溶液降温过程中，使籽晶沿Z轴方向成锥，恢复晶体的理想外形；(7)晶体生长：籽晶在晶体生长过程中，完全开放式的浸入生长溶液中，使恢复理想外形的籽晶在各个方向自由生长成成品晶体；(8)晶体切割：由于前期沿倍频方向进行籽晶处理，对成品晶体切割时沿鱼线方向用晶体切片机进行切割，所得薄片即为成品倍频晶体。