[发明专利]高频倍压整流模块无效
| 申请号： | 201210067991.6 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102593112A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张裕;陈岗;董春红 | 申请（专利权）人： | 鞍山雷盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/28;H01L23/367 |
| 代理公司： | 鞍山嘉讯科技专利事务所 21224 | 代理人： | 张群 |
| 地址： | 114051 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高频倍压整流模块，包括电容、硅堆，其特征在于，在竖直方向上，所述的电容、硅堆设计成分层结构，硅堆设置于上层和下层，电容设置于中间层；在水平方向上，由线路板将上层硅堆、中间层电容、下层硅堆划分为多级，每级结构由两侧线路板所划分的空间内的上层硅堆、中间层电容、下层硅堆构成，每级中的硅堆、电容通过两侧的线路板安装，除端部的线路板外，中间的线路板为双面连接结构；硅堆和电容采用环氧树脂浇注成型。与现有技术相比，本发明的有益效果是：散热效果好，将发热量大的硅堆放在外层，温升小于20℃，可连续工作；耐压效果好，分层立体结构有效增加了耐压距离，降低了损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 整流 模块 | ||
【主权项】：
高频倍压整流模块，包括电容、硅堆，其特征在于，在竖直方向上，所述的电容、硅堆设计成分层结构，硅堆设置于上层和下层，电容设置于中间层；在水平方向上，由线路板将上层硅堆、中间层电容、下层硅堆划分为多级，每级结构由两侧线路板所划分的空间内的上层硅堆、中间层电容、下层硅堆构成，每级中的硅堆、电容通过两侧的线路板安装，除端部的线路板外，中间的线路板为双面连接结构；硅堆和电容采用环氧树脂浇注成型。
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