[发明专利]一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210068321.6 申请日: 2012-03-15
公开(公告)号: CN102593142A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 黄如;白文亮;蔡一茂;唐昱;张兴 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;H01L45/00
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人: 张肖琪
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法。本发明采用透明的选择管作为驱动管,选择管的双向导通的特性实现了电路对存储单元的重复擦除与写入,并解决了串扰问题。选择管作为存储阵列的驱动管,解决了晶体管占用面积大、二极管单极性操作的限制,可以适应器件按比例缩小的进程,而且,选择管的制备工艺简单,节省成本。本发明的材料均采用柔性透明的材料,柔性透明存储阵列把“柔性透明电子系统”、“驱动管”以及“阻变存储器”三者结合在一起,它除了具有阻变存储器本身的特性外,还具备柔性、透明等优点,尤其是解决了存储器在集成阵列中串扰的问题,制备的存储阵列可广泛应用在电子纸张、柔性透明显示及其他相关电子系统中。
搜索关键词: 一种 防串扰 柔性 透明 存储 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
一种柔性透明存储阵列,其特征在于,所述存储阵列包括:柔性透明的衬底(1);形成在衬底上的m个条状的底电极(2);形成在底电极上的功能层(3);形成在功能层上的电极层(4);底电极、功能层和电极层构成透明的选择管;形成在电极层上的阻变存储层(5);形成在阻变存储层上并与底电极相交叉的n个条状的顶电极(6);穿透阻变存储层、电极层和功能层并与底电极相连的引出电极(7);在引出电极和阻变存储层和电极层的侧壁之间的隔离侧墙(8);电极层、阻变存储层和顶电极构成透明的阻变存储器,上述结构均采用透明的材料,m个条状的底电极与n个条状的顶电极相交的部分形成m*n的存储阵列,其中,m和n为自然数。
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