[发明专利]功率用半导体装置

摘要

本发明的实施方式的功率用半导体装置具备第1导电类型的第1半导体层、高电阻的外延层、第2导电类型的第2半导体层、第1导电类型的第3半导体层、栅电极、第1电极、以及第2电极。高电阻的外延层具有第1柱区域和第2柱区域。第1柱区域具有交替排列的多个第1导电类型的第1柱和多个第2导电类型的第2柱。第2柱区域在第1柱区域侧的一端中具有第3柱，在另一端中具有第4柱。第3柱的实质的杂质量比第1柱的实质的杂质量以及第2柱的实质的杂质量还少，比第4柱的实质的杂质量还多。

主权项

一种功率用半导体装置，包括：第1导电类型的第1半导体层，具有第1表面和与所述第1表面相反一侧的第2表面；高电阻的外延层，设置于所述第1半导体层的所述第1表面上，具有第1柱区域和第2柱区域；第2导电类型的第2半导体层，选择性地设置于所述第1柱区域的表面；第1导电类型的第3半导体层，选择性地设置于所述第2半导体层的表面；栅电极，隔着栅绝缘膜设置于所述第1柱区域、所述第2半导体层以及所述第3半导体层上；第1电极，与所述第1半导体层的第2表面电连接；以及第2电极，与所述第2半导体层和所述第3半导体层电连接，隔着层间绝缘膜而与所述栅电极绝缘，所述第1柱区域具有：沿着与所述第1半导体层的所述第1表面平行的第1方向交替排列的多个第1导电类型的第1柱和多个第2导电类型的第2柱，所述多个第2导电类型的第2柱分别与所述第2导电类型的第2半导体层连接，所述第1柱区域的沿着所述第1方向的终端以所述第1柱和所述第2柱的某一方的柱为终端，所述第2柱区域沿着所述第1方向隔着所述终端而与所述第1柱区域邻接，所述第2柱区域具有：第3柱，沿着所述第1方向在所述第1柱区域侧的一端中，具有与所述第1区域的所述终端的所述一方的柱的导电类型相反的导电类型；以及第4柱，沿着所述第1方向在与所述第1柱区域相反一侧的另一端中，具有与所述第3柱相反的导电类型，所述多个第1柱、所述多个第2柱、所述第3柱以及所述第4柱分别包括沿着与所述第1半导体层的所述第1表面垂直的第2方向排列的、多段的杂质扩散层，所述多个第1柱、所述多个第2柱、所述第3柱以及所述第4柱的各段的杂质扩散层排列于与所述第1半导体层的所述第1表面平行的1个层内，在所述1个层内，所述第3柱的所述杂质扩散层中的所述第3柱的导电类型的实质的杂质量比所述多个第1柱的各杂质扩散层中的第1导电类型的实质的杂质量以及所述多个第2柱的各杂质扩散层中的第2导电类型的实质的杂质量少，在所述1个层内，所述第4柱的所述杂质扩散层中的所述第4柱的导电类型的实质的杂质量比所述第3柱的所述杂质扩散层中的所述实质的杂质量少。