[发明专利]制造堆叠的氮化物半导体结构的方法以及制造氮化物半导体发光装置的方法有效
| 申请号： | 201210068462.8 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103000492A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 甲斐健一郎;菅原秀人 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 依据一个实施方案，一种执着堆叠的氮化物半导体结构的方法包括在基材的第二表面上形成第一保护薄膜，在基材的第一表面上形成第一氮化物半导体层，在第一氮化物半导体层上形成第二保护薄膜，去除第一保护薄膜，露出基材的第二表面，在基材的第二表面上形成第二氮化物半导体层，和去除第二保护薄膜，露出第二氮化物半导体层的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 堆叠 氮化物 半导体 结构 方法 以及 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种制造堆叠的氮化物半导体结构的方法，其包括：在具有第一热膨胀系数的基材的第二表面上形成第一保护薄膜，第二表面构造为与基材的第一表面相对；在基材的第一表面上形成第一氮化物半导体层，第一氮化物半导体层具有与第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数；在第一氮化物半导体层上形成第二保护薄膜；去除第一保护薄膜，以露出基材的第二表面；在基材的第二表面上形成第二氮化物半导体层，第二氮化物半导体层具有与第二热膨胀系数大致相等的第三热膨胀系数；和去除第二保护薄膜，以露出第二氮化物半导体层的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
