[发明专利]一种制作单根纳米线微电极的方法

摘要

本发明涉及一种制作单根纳米线微电极的方法。现有方法所需的设备较复杂，制作成本高。本发明方法是将裸金属网和不锈钢网依次置于分散有单根纳米线的衬底之上作为掩膜，使用磁控溅射或其他蒸镀金属的方法，在衬底上沉积金属，由于掩膜的限制，只会在衬底部分区域镀到金属，利用电子显微镜在衬底上搜索两端分别在相邻两个金属膜方块下的纳米线，将该相邻两个金属膜方块作为该纳米线的两个电极。本发明方法可以廉价和方便的制备金属电极，适用范围广，且作为掩膜的裸金属网和不锈钢网可以重复利用。

主权项

一种制作单根纳米线微电极的方法，其特征在于该方法的具体步骤是： 步骤(1).将纳米线扩散在酒精中，超声分散后将分散有纳米材料的酒精滴加或旋涂到衬底表面，酒精挥发后，纳米线即分散到衬底表面；步骤(2).将金属网置于衬底表面，纳米线分布在衬底表面与金属网之间，然后将不锈钢网覆在金属网上；衬底、金属网和不锈钢网组成电极制作构件；所述的金属网为100～5000目无碳膜支撑的裸金属网；所述的不锈钢网的网孔是边长为10～200微米的正方形微孔，微孔深度为10～1000微米，不锈钢网的肋宽为5～50微米；步骤(3).在电极制作构件上表面进行金属镀膜，金属膜厚度控制为50～500纳米；步骤(4).依次取下不锈钢网和金属网，大量正方形的金属膜方块在衬底上呈矩阵分布，利用电子显微镜在衬底上搜索两端分别在相邻两个金属膜方块下的纳米线，将该相邻两个金属膜方块作为该纳米线的两个电极。