[发明专利]半导体发光装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210068814.X | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102683557A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 小泉洋;樱井直明;杉崎吉昭;冈田康秀;中具道;上北将广;小岛章弘;秋元阳介 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L25/13;H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 苗征;于辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施方案，半导体发光装置包括发光部和波长转换部。配置所述发光部以发光。所述波长转换部设于所述发光部的一个主表面侧上。所述波长转换部含有磷光体。所述波长转换部的磷光体的量的分布基于从所述发光部发出的光的波长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
半导体发光装置，其包括：配置以发光的发光部；和设于所述发光部的一个主表面侧上并且含有磷光体的波长转换部，所述波长转换部的磷光体的量的分布基于从所述发光部发出的光的波长分布。
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