[发明专利]一种梁膜双岛结构微压高过载传感器芯片有效
申请号: | 201210068975.9 | 申请日: | 2012-03-16 |
公开(公告)号: | CN102620865A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 赵玉龙;于忠亮;孟夏薇;刘岩;张学锋;王伟忠 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18;B81B3/00;B81B7/00 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贺建斌 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种梁膜双岛结构微压高过载传感器芯片,包括硅基底,硅基底上加工有两个质量块和三根单梁,质量块与硅基底、两个质量块之间均通过单梁连接,将硅基底、质量块及三根单梁围成的空间加工成薄膜,硅基底的背面与Pyrex7740玻璃键合,质量块与Pyrex7740玻璃之间在真空环境下留有间隙,同时将Pyrex7740玻璃上的两个防吸附电极插入键合区域,将薄膜、质量块和Pyrex7740玻璃之间形成的腔体抽真空,在硅基底的正面,四个压敏电阻条相互连接组成开环惠斯通电桥,三根单梁的引入提高了整体的刚度,再次集中了应力,具有线性好,灵敏度高,零位小的特点,同时可以抗500倍的高过载。 | ||
搜索关键词: | 一种 梁膜双岛 结构 微压高 过载 传感器 芯片 | ||
【主权项】:
一种梁膜双岛结构微压高过载传感器芯片,包括硅基底(1),其特征在于:硅基底(1)上加工有两个质量块(4‑1)、(4‑2)和三根单梁(3‑1)、(3‑2)、(3‑3),第一质量块(4‑1)通过第一单梁(3‑1)与硅基底(1)连接,第二质量块(4‑2)通过第三单梁(3‑3)与硅基底(1)连接,第一质量块(4‑1)和第二质量块(4‑2)之间通过第二单梁(3‑2)连接,将硅基底(1)、质量块(4‑1)、(4‑2)及三根单梁(3‑1)、(3‑2)、(3‑3)围成的空间加工成10~30μm薄膜(2),硅基底(1)的背面与Pyrex7740玻璃(5)键合,将质量块(4‑1)、(4‑2)的背面减薄,使质量块(4‑1)、(4‑2)与Pyrex7740玻璃(5)之间在真空环境下留有5~10μm的间隙,同时将Pyrex7740玻璃(5)上的防吸附电极(9‑1)、(9‑2)插入键合区域(10),将薄膜(2)、质量块(4‑1)、(4‑2)和Pyrex7740玻璃(5)之间形成的腔体抽真空,在硅基底(1)的正面,四个压敏电阻条(6‑1)、(6‑2)、(6‑3)、(6‑4)按照三根单梁(3‑1)、(3‑2)、(3‑3)上的应力分布规律均布置在靠近其根部处,且沿着压阻系数最大的晶向,四个压敏电阻条(6‑1)、(6‑2)、(6‑3)、(6‑4)通过硅基底(1)上的金属引线(8)相互连接组成开环惠斯通电桥,电桥的输出端与硅基底(1)上的焊盘(7)相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210068975.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:金属互连的形成方法
- 下一篇:一种聚酰亚胺/聚丙烯腈共混纤维及其制备方法