[发明专利]一种窄带隙聚噻吩类衍生物的合成方法

摘要

本发明公开了一种窄带隙聚噻吩类衍生物的合成方法，它是通过两种不同的噻吩类衍生物单体按照一定的配比溶解在有机溶剂中，在无水无氧以及一定的温度条件下，经催化剂活化单体，引发聚合，待充分聚合后，将产物经过分离提纯，得到目标产物。本发明合成路线简洁，操作简单，经济有效，避免了环境不友好的有机金属中间体的合成，且制备的窄带隙聚噻吩衍生物可被广泛应用于如有机薄膜太阳能电池(OPVs)、有机薄膜场效应晶体管(OFETs)等光电器件之中。

主权项

1.一种窄带隙聚噻吩类衍生物的合成方法，其特征在于，该方法为：将具有通式I和通式II所示结构的噻吩类衍生物单体与Pd催化剂、配体以及碱溶于有机溶剂中，然后优选于80~150℃的温度条件下反应聚合，得到具有通式III所示结构的目标产物；…式I，…式II，…式III，其中：R₁至少选自直链或支链烷基酯基和直链或支链烷基羰基中的任意一种，R₂至少选自直链或支链烷氧基和直链或支链烷基中的任意一种，X为H或F原子，Y、Z至少选自卤素原子和H原子中的任意一种，但前提是：当Y为卤素时Z为H，而当Z为卤素时Y为H，n为重复单元数目，n≥1。