[发明专利]半导体存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210070053.1 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102881821A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 金谷宏行 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置包括半导体基板。多个单元晶体管设置在半导体基板上。接触插头在相邻的单元晶体管间埋入，与处于该相邻的单元晶体管间的扩散层电连接。层间绝缘膜埋入多个接触插头间。存储元件不设置在接触插头的上方，而设置在层间绝缘膜的上方。侧壁膜覆盖存储元件的侧面的至少一部分，从半导体基板的表面上方看时，与接触插头重叠。下部电极设置在存储元件的底面和层间绝缘膜之间及侧壁膜和接触插头之间，电连接存储元件和接触插头。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于，包括：半导体基板；多个单元晶体管，设置在上述半导体基板上；接触插头，在相邻的上述单元晶体管间埋入，与处于该相邻的单元晶体管间的扩散层电连接；层间绝缘膜，埋入多个上述接触插头间；存储元件，不设置在上述接触插头的上方，而设置在上述层间绝缘膜的上方；侧壁膜，覆盖上述存储元件的侧面的至少一部分，从上述半导体基板的表面上方看时，以与上述接触插头重叠的方式设置；下部电极，设置在上述存储元件的底面和上述层间绝缘膜之间及上述侧壁膜和上述接触插头之间，电连接上述存储元件和上述接触插头。
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