[发明专利]相变随机存取存储器件及其制造方法有效
申请号: | 201210070112.5 | 申请日: | 2012-03-16 |
公开(公告)号: | CN102779940A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 孙敏硕 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种相变随机存取存储器件,包括:下电极接触,所述下电极接触形成在下电极接触孔中;相变材料图案,所述相变材料图案被形成为包围下电极接触的上部的一侧;以及绝缘层,所述绝缘层被掩埋在相变材料图案中并且被形成在下电极接触的上表面上。 | ||
搜索关键词: | 相变 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种相变随机存取存储器件,包括:下电极接触,所述下电极接触形成在下电极接触孔中;相变材料图案,所述相变材料图案被形成为包围所述下电极接触的上部的一侧;以及绝缘层,所述绝缘层被掩埋在所述相变材料图案中并且被形成在所述下电极接触的上表面上。
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