[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210070719.3 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102983164A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 河村圭子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体器件及其制造方及其制造方法。实施方式涉及的半导体器件具备：第1导电型的漏层；第1导电型的漂移层，形成在上述漏层上，有效杂质浓度低于上述漏层的有效杂质浓度；第2导电型的基层，形成在上述漂移层上；第1导电型的源层，选择性地形成在上述基层上；栅极绝缘膜，在从上述源层的上表面贯穿上述源层及上述基层的多个沟槽的内表面上形成；栅电极，被埋入上述沟槽的内部；层间绝缘膜，覆盖上述栅电极的上表面地形成在上述沟槽上，至少上表面比上述源层的上表面还位于上方；及导电性或绝缘性的接触掩膜，形成在上述层间绝缘膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具备：第1导电型的漏层；第1导电型的漂移层，形成在上述漏层上，有效杂质浓度低于上述漏层的有效杂质浓度；第2导电型的基层，形成在上述漂移层上；第1导电型的源层，选择性地形成在上述基层上；栅极绝缘膜，形成在从上述源层的上表面贯穿上述基层的多个沟槽的内表面上；栅电极，被埋入上述沟槽的内部；层间绝缘膜，覆盖上述栅电极的上表面地形成在上述沟槽上，至少上表面比上述源层的上表面还位于上方；及导电性或绝缘性的接触掩膜，形成在上述层间绝缘膜上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210070719.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
