[发明专利]用于FinFET SRAM阵列集成电路的方法和装置

摘要

用于在单个集成电路上提供单个FinFET和多个FinFET SRAM阵列的方法和装置。描述了多个第一位单元的第一单端口SRAM阵列，每个第一位单元都具有Y间距Y1和X间距X1，X1与Y1的比率大于或等于2，每个位单元都进一步具有单鳍FinFET晶体管以形成6T SRAM单元，并且单元CVdd电源连接至第一电压控制电路；以及多个第二位单元的第二单端口SRAM阵列，每个第二位单元都具有Y间距Y2和X间距X2，X2与Y2的比率大于或等于3，多个第二位单元的每一个都包括具有多鳍FinFET晶体管的6T SRAM单元，其中，X2与X1的比率大于约1.1。

主权项

一种集成电路，包括：多个第一位单元的第一单端口SRAM阵列，在行和列中进行配置，每个位单元都具有距离Y1的y间距和距离X1的x间距，X1与Y1的比率大于或等于2，多个位单元的每一个都形成单鳍FinFET晶体管的6T SRAM单元，并且所述第一位单元中的每一个都接收来自第一电压控制电路的单元正电压源CVdd；以及多个第二位单元的第二单端口SRAM阵列，在行和列中进行配置，每个第二位单元都具有距离Y2的y间距和距离X2的x间距，X2与Y2的比率大于或等于3，所述多个第二位单元的每一个都进一步包括6T SRAM单元，所述6T SRAM单元包括多鳍FinFET晶体管，并且所述第二位单元中的每一个都接收来自第二电压控制电路的第二单元正电压源CVdd；其中，X2与X1的比率大于约1.1。