[发明专利]用于FINFET单元的方法和装置有效
| 申请号： | 201210071602.7 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103151071A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 用于提供FinFET SRAM单元的方法和装置。提供了一种SRAM单元结构，包括中心N阱区域以及在中心N阱区域的相对侧上的第一和第二P阱区域，N阱区域与P阱区域的面积比在80％至120％之间，该SRAM单元结构还包括：至少一个p型晶体管，形成在N阱区域中并具有栅电极，栅电极包括在N阱区域中的p型晶体管有源区域上方的栅极和栅极电介质；以及至少一个n型晶体管，形成在第一和第二P阱区域的每一个中，并且每一个n型晶体管都具有栅电极，栅电极包括对应P阱区域中的n型晶体管有源区域上方的栅极和栅极电介质。公开了用于操作SRAM单元结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 单元 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种SRAM单元结构，包括：中心N阱区域以及在所述中心N阱区域的相对侧上的第一P阱区域和第二P阱区域，所述N阱区域与所述P阱区域的面积比在80％至120％之间，所述SRAM单元结构进一步包括：至少一个p型晶体管，形成在所述N阱区域中并具有栅电极，该栅电极包括在所述N阱区域中的p型晶体管有源区域上方的栅极电介质和栅极；以及至少一个n型晶体管，形成在所述第一P阱区域和所述第二P阱区域的每一个中，并且每一个n型晶体管都具有栅电极，该栅电极包括在相应P阱区域中的n型晶体管有源区域上方的栅极电介质和栅极。
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