[发明专利]一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法无效
申请号: | 201210071844.6 | 申请日: | 2012-03-19 |
公开(公告)号: | CN102544241A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 钱善春;沈伟;鲁伟明;符欣;岳成武;胡辉;张金春 | 申请(专利权)人: | 泰州德通电气有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 泰州地益专利事务所 32108 | 代理人: | 王楚云 |
地址: | 225300 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种可将异常的硅太阳能电池片方便处理成满足再生产成太阳能电池片的硅片的方法,它包括以下步骤:1、将硅太阳能电池片置于混合酸溶液中进行化学清洗,除掉背电场中的铝和氮化硅膜至反应完全;2、取出并用水洗净;3、再将其置于酸溶液中洗掉电池片的银电极至反应完全;4、再取出并用水洗净;5、最后将其置于HF和HNO3的混合酸中,在6-20℃条件下进行化学清洗,以清洗去除背场残留的玻璃和氧化物的混合物、树脂及合金层,并去除扩散过程中形成的PN结;6、取出并用水洗净,获得所需硅片。本发明可以很好地洗净背场的残留物,同时保证一定的腐蚀厚度,腐蚀厚度可控制在12-20um,完全符合生产成太阳能电池片的需要,并能够实现批量还原。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 还原 硅片 方法 | ||
【主权项】:
一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法,其特征是,包括以下步骤:(1)、将硅太阳能电池片置于混合酸溶液中进行化学清洗,除掉背电场中的铝和氮化硅膜至反应完全;(2)、取出并用水洗净;(3)、再将其置于酸溶液中洗掉电池片的银电极至反应完全;(4)、再取出并用水洗净;(5)、最后将其置于体积百分含量为30%‑70%的HF和HNO3的混合酸中,在6‑20℃条件下进行化学清洗,以清洗去除背场残留的玻璃和氧化物的混合物、树脂及合金层,并去除扩散过程中形成的PN结;(6)、待反应完全后取出并用水洗净,获得所需硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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