[发明专利]垂直式半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210072544.X | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103325747A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 邱建维;黄宗义 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/00;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种垂直式半导体元件及其制造方法。垂直式半导体元件包含：基板，其具有第一表面与第二表面，且第一表面与第二表面之间，具有贯穿基板的多个导电栓所形成的导电矩阵；半导体层，形成于第一表面上，其具有第三表面与第四表面，其中第四表面面向第一表面；第一电极，形成于第三表面上；以及第二电极，形成于第二表面上，用以电连接导电矩阵。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直式半导体元件，其特征在于，包含：一基板，其具有一第一表面与一第二表面，且该第一表面与第二表面之间，具有贯穿该基板的多个导电栓所形成的导电矩阵；一半导体层，形成于该第一表面上，其具有一第三表面与一第四表面，其中该第四表面面向该第一表面；一第一电极，形成于该第三表面上；以及一第二电极，形成于该第二表面上，用以电连接该导电矩阵。
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