[发明专利]高压半导体元件有效
| 申请号： | 201210073009.6 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103325816B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张堡安;李庆民;吴德源;王智充;李文芳;徐尉伦 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高压半导体元件，其包含有一基底、一设置于该基底上的绝缘层、以及一设置于该绝缘层上的硅层。该硅层还包含至少一第一条状掺杂区、分别设置于该硅层的两端且与该第一条状掺杂区电连接的二端点掺杂区、以及多个第二条状掺杂区，且该多个第二条状掺杂区与该第一条状掺杂区交错设置。该第一条状掺杂区与该多个端点掺杂区包含一第一导电型态，该多个第二条状掺杂区包含一第二导电型态，且该第一导电型态与该第二导电型态互补。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种高压半导体元件，包含有：基底；绝缘层，设置于该基底上；以及硅层，设置于该绝缘层上，该硅层还包含：至少一第一条状掺杂区，且该至少一第一条状掺杂区包含第一导电型态；二端点掺杂区，分别设置于该硅层的两端，该至少一第一条状掺杂区在该二端点掺杂区之间延伸并与其电连接，且该二端点掺杂区分别包含该第一导电型态；以及多个第二条状掺杂区，且与该至少一第一条状掺杂区交错设置，该多个第二条状掺杂区包含第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。
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