[发明专利]用等离子激发形成太阳能干法制绒黑硅的方法

摘要

本发明涉及一种形成黑硅的方法，尤其是一种用等离子激发形成太阳能干法制绒黑硅的方法。该方法具体的工艺步骤如下：一、自动传送装置带动硅片载板，通过硅片上料将需刻蚀硅片置于硅片载板上；二、载有硅片的硅片载板在自动传输装置的带动下经过平行放置的线性等离子源，载有硅片的硅片载板在自动传输装置的带动下在真空中按一定速度经过线性等离子源；三、刻蚀后的气体通过真空泵及其导管抽走；四、硅片载板经过硅片下料装置使硅片下料，得成品黑硅。本发明的优点是等离子密度高，对硅表面损伤低，使所得的黑硅电池片转换效率高；同时，刻蚀速度度快，增加了产量；另一方面，利用本发明载板是放在接地电极上的，这样使离子源更加稳定。

主权项

一种用等离子激发形成太阳能干法制绒黑硅的方法，其特征是，该方法由一个自动传送装置实现，包括硅片载板（3）、硅片上料和硅片下料，具体的工艺步骤如下：一、自动传送装置带动硅片载板（3），通过硅片上料将需刻蚀硅片（4）置于硅片载板（3）上；二、载有硅片（4）的硅片载板（3）在自动传输装置的带动下经过平行放置的一组线性等离子源，载有硅片（4）的硅片载板（3）在自动传输装置的带动下在真空中按照30‑3000mm/min的速度经过线性等离子源；所述线性等离子源是由一对平行板组成，平行板的第一板（1）连接射频电源，第二板（2）接地，气体从第一板（1）处通入，带有硅片的载板向第二板（2）靠近通过；在射频电源的射频激发下两板之间形成等离子体，完成硅片的刻蚀；硅片的刻蚀按照以下化学方程式进行：SF6+O2‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑》SFxO+F；F+Si‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑》SiFx；三、刻蚀后的气体通过真空泵及其导管抽走；四、硅片载板经过硅片下料装置使硅片下料，得成品黑硅，载板回到硅片上料处原点，循环使用。