[发明专利]基于氧化钽绝缘层的薄膜晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210073839.9 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102623510A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;彭俊彪;王磊 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/22;H01L21/34;H01L21/363 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 宫爱鹏 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氧化钽绝缘层的薄膜晶体管及其制备方法，包含如下步骤：(1)在玻璃基板上通过溅射的方法制备钽或钽合金薄膜，通过掩模或光刻的方法图形化，得到栅极；(2)将所制备的栅极基片放入电解质溶液中通电进行阳极氧化处理，在栅极表面形成阳极氧化绝缘层；(3)在阳极氧化绝缘层上面通过溅射的方法制备沟道层，通过掩模或光刻的方法图形化，得到沟道层；(4)在沟道层上面通过溅射的方法制备一层导电薄膜，通过掩模、光刻或者剥起的方法图形化，同时得到漏极和源极。本发明制备的薄膜晶体管具有制备成本及温度低、阈值电压较低以及载流子迁移率较高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 绝缘 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于氧化钽绝缘层的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：(1)栅极基片的制备在玻璃基板上通过溅射的方法制备钽或钽合金薄膜，该薄膜的厚度为100nm～600nm，通过掩模或光刻的方法图形化，得到栅极；(2)阳极氧化绝缘层的制备将所制备的栅极基片放入电解质溶液中通电进行阳极氧化处理，在栅极表面形成一层氧化钽薄膜，其厚度为100nm～300nm，即为阳极氧化绝缘层；(3)沟道层的制备在阳极氧化绝缘层上面通过溅射的方法制备沟道层，该沟道层的厚度为20nm～100nm，通过掩模或光刻的方法图形化，得到沟道层；(4)漏极和源极的制备在沟道层上面通过溅射的方法制备一层厚度为100nm～500nm的导电薄膜，通过掩模、光刻或者剥起的方法图形化，同时得到漏极和源极。
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