[发明专利]一种阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201210074221.4 | 申请日: | 2012-03-19 |
公开(公告)号: | CN102655156A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 朱佩誉;牛菁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供的一种阵列基板及其制造方法,涉及显示元器件制造领域,用以减小像素电极的感生电压从而改善了屏幕闪烁。该阵列基板包括:透明基板,在该透明基板上设置有横纵交叉的栅线和数据线,在所述栅线和数据线所限定的像素单元中设置有薄膜晶体管和像素电极;其中,所述薄膜晶体管的栅极与栅线相连,源极与数据线相连,漏极与像素电极相连;其特征在于,所述薄膜晶体管的栅极在所述漏极正对区域的厚度比在该薄膜晶体管的沟道正对区域的厚度小。本发明实施例用于显示器件的制造领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括:透明基板,在该透明基板上设置有横纵交叉的栅线和数据线,在所述栅线和数据线所限定的像素单元中设置有薄膜晶体管和像素电极;其中,所述薄膜晶体管的栅极与栅线相连,源极与数据线相连,漏极与像素电极相连;其特征在于,所述薄膜晶体管的栅极在所述漏极正对区域的厚度比在该薄膜晶体管的沟道正对区域的厚度小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的