[发明专利]反调STI形成有效
| 申请号： | 201210074766.5 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103117243A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 张开泰;陈颐珊;陈欣志;柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法，包括：在衬底上方形成硬掩模，图案化硬掩模以形成第一多个沟槽，以及在第一多个沟槽内填充有介电材料以形成多个介电区域。从多个介电区域之间去除硬掩模，其中，通过去除硬掩模留下第二多个沟槽。实施外延步骤以在第二多个沟槽内生长半导体材料。本发明还提供了反调STI形成。 | ||
| 搜索关键词： | 反调 sti 形成 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在衬底上方形成硬掩模；图案化所述硬掩模以形成第一多个沟槽；在所述第一多个沟槽中填充有介电材料，以形成多个介电区域；从所述多个介电区域之间去除所述硬掩模，其中，由去除的硬掩模留下第二多个沟槽；以及实施外延步骤，以在所述第二多个沟槽内生长半导体材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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