[发明专利]一种用于黑硅制备的设备

摘要

本发明公开了一种用于黑硅制备的设备，包括反应室(100)、气体流量控制装置(110)、压强调控装置(140)、冷却装置(150)线圈功率源组件、平板功率源组件，其特性在于：所述反应室(100)上方设置石英盖(101)，所述反应室(100)下部安装有用于放置待加工硅片样品的支撑台(102)；所述气体流量控制装置(110)，包括不少于两条用于通工作气体的气路(111)，所述压强调控装置(140)，包括：出气口(141)、机械泵(142)、分子泵(143)；所述冷却装置(150)直接连接到所述支撑台(102)。本发明制备高密度、高深宽比的黑硅，且制备效率高、成本低，控制自动化、简单方便。

主权项

一种用于黑硅制备的设备，包括反应室(100)、气体流量控制装置(110)、压强调控装置(140)、冷却装置(150)、线圈功率源组件、平板功率源组件，所述线圈功率源组件包括线圈射频功率发生器(120)、线圈射频匹配器(121)、射频线圈(122)，所述平板功率源组件包括平板射频功率发生器(130)、平板射频匹配器(131)和平板电极(132)，其特性在于：所述反应室(100)上方设置石英盖(101)，所述反应室(100)下部安装有用于放置待加工硅片样品的支撑台(102)；所述气体流量控制装置(110)，包括不少于两条用于通工作气体的气路(111)，其中一侧连接气瓶，另一侧连接所述反应室(100)上部；所述线圈射频功率发生器(120)和所述线圈射频匹配器(121)相连，所述线圈射频匹配器(121)与所述射频线圈(122)相连，所述射频线圈(122)位于所述反应室(100)腔体内；所述平板射频功率发生器(130)和所述平板射频匹配器(131)相连，所述射频匹配器(131)与所述平板电极(132)相连；所述压强调控装置(140)，包括出气口(141)、机械泵(142)、分子泵(143)，所述出气口(141)位于所述反应室(100)下端，所述机械泵(142)、分子泵(143)二者串联连接；所述冷却装置(150)直接连接到所述支撑台(102)。