[发明专利]静电放电电路无效
| 申请号： | 201210075013.6 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN102611093A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 孔庆河;丁俊;张振浩 | 申请（专利权）人： | 上海艾为电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 200233 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种静电放电电路。所述静电放电电路包括：分压电路、第一NMOS管和第二NMOS管；所述分压电路的正极输入端连接高压输入端，负极输入端耦接于地，输出端连接所述第一NMOS管的栅极，用于输出导通第一NMOS管的偏置电压；所述第一NMOS管的漏极连接高压输入端，源极连接所述第二NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的源极接地，栅极耦接于地。本发明的静电放电电路在提高电路耐压值的同时也提高了其静电放电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 电路 | ||
【主权项】：
一种静电放电电路，其特征在于，包括：分压电路、第一NMOS管和第二NMOS管；所述分压电路的正极输入端连接高压输入端，负极输入端耦接于地，输出端连接所述第一NMOS管的栅极，用于输出导通第一NMOS管的偏置电压；所述第一NMOS管的漏极连接高压输入端，源极连接所述第二NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的源极接地，栅极耦接于地。
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